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UCC27282DRCT

具有跨导保护和低开关损耗的3A 120V半桥驱动器

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描述: 可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: UCC27282DRCT
商品编号: C2676968
商品封装: VSON-10-EP(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.3克(g)

商品参数

商品概述

可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。由于输入与电源电压无关，因此与模拟控制器和数字控制器均可结合使用。

输入引脚和 HS 引脚能够承受较大的负电压，因此提高了系统稳健性。输入互锁进一步提高了高噪声应用中的稳健性和系统可靠性。启用和禁用功能通过降低驱动器的功耗并响应系统内的故障事件，提供额外的系统灵活性。5V UVLO 允许系统在较低的偏置电压下工作，这在许多高频应用中是必需的，并可在某些工作模式下提高系统效率。较小的传播延迟和延迟匹配规格可尽可能降低死区时间要求，从而进一步提高效率。

高侧和低侧驱动器级均配有欠压锁定 (UVLO) 功能，因此可在 VDD 电压低于指定阈值时将输出强制为低电平。在许多应用中，集成自举二极管无需使用外部分立式二极管，节省布板空间和降低系统成本。采用小型封装，因此可支持高密度设计。

商品特性

可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET
5V 典型欠压锁定
输入互锁在 DRC 封装中启用/禁用功能
16ns 典型传播延迟
1.8nF 负载时的上升时间为 12ns，下降时间为 10ns
1ns 典型延迟匹配
输入引脚上接受的绝对最大负电压 (–5 V)
HS 引脚上接受的绝对最大负电压 (–14 V)
±3A 峰值输出电流
绝对最大启动电压为 120V
禁用时消耗的电流很低 (7μA)
集成式自举二极管
额定结温范围为 –40°C 至 140°C

应用领域

电信和商用电源
电机驱动器和电动工具
辅助逆变器
半桥和全桥转换器
有源箝位正激式转换器
高电压同步降压型转换器
D 类音频放大器

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	3A
	拉电流(IOH)	3A
	工作电压	5.5V~16V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	12ns
	下降时间(tf)	10ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+140℃
	输入高电平(VIH)	1.9V~2.4V
	输入低电平(VIL)	900mV~1.3V
	静态电流(Iq)	300uA