LM5112MYX/NOPB
微型7A MOSFET栅极驱动器
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- 描述
- LM5112 用于双电源操作、具有 4V UVLO 和输入接地的 3A/7A 单通道栅极驱动器
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- LM5112MYX/NOPB
- 商品编号
- C2676966
- 商品封装
- MSOP-8-EP
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 7A | |
| 拉电流(IOH) | 3A | |
| 工作电压 | 3.5V~14V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 14ns | |
| 下降时间(tf) | 12ns | |
| 传播延迟 tpLH | 25ns | |
| 传播延迟 tpHL | 25ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 静态电流(Iq) | 1mA |
商品概述
LM5112器件MOSFET栅极驱动器在微型6引脚WSON封装(与SOT - 23占位面积相同)或带有散热焊盘的8引脚MSOP封装中提供高峰值栅极驱动电流,该封装可改善高频操作所需的散热性能。复合输出驱动级包括并联工作的MOS和双极晶体管,它们共同从容性负载吸收超过7 A的峰值电流。结合MOS和双极器件的独特特性,可减少驱动电流随电压和温度的变化。提供欠压锁定保护,以防止因栅极导通电压不足而损坏MOSFET。LM5112器件提供反相和同相输入,以满足使用单一器件类型实现反相和同相栅极驱动的要求。
商品特性
- LM5112 - Q1符合汽车应用AEC - Q100 1级标准
- 采用汽车级工艺流程制造
- 复合CMOS和双极输出可减少输出电流变化
- 7 A灌电流和3 A拉电流
- 快速传播时间:25 ns(典型值)
- 快速上升和下降时间:带2 nF负载时,上升或下降时间为14 ns或12 ns
- 反相和同相输入可通过单一器件实现两种配置
- 电源轨欠压锁定保护
- 用于分离电源或单电源操作的专用输入地(IN_REF)
- 功率增强型6引脚WSON封装(3 mm×3 mm)或热增强型MSOP - PowerPAD封装
- 输出摆幅从VCC到相对于输入地为负的VEE
应用领域
- 直流到直流开关模式电源
- 交流到直流开关模式电源
- 太阳能微型逆变器
- 螺线管和电机驱动器
优惠活动
购买数量
(3500个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个3500个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交4单
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