SID1183K-TL
SID1183K-TL
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- 商品型号
- SID1183K-TL
- 商品编号
- C2676956
- 商品封装
- ESOP-R16B-8.9mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | - | |
| 负载类型 | IGBT；MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 8A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 7.3A | |
| 工作电压 | 4.75V~5.25V | |
| 上升时间(tr) | 465ns | |
| 下降时间(tf) | 460ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
SID1183K是一款采用eSOP封装的单通道IGBT和MOSFET驱动器。创新的固态绝缘体FluxLink技术提供了电流隔离。高达8 A的峰值输出驱动电流使该产品能够驱动高达600 A的器件，无需任何额外的有源元件。对于超出SID1183K独立驱动能力的栅极驱动需求，可添加外部放大器。一个单极性隔离电压源可为栅极控制提供稳定的正电压和负电压。 其他特性包括带高级软关断（ASSD）的短路保护（DESAT）、初级侧和次级侧的欠压锁定（UVLO）以及具有温度和工艺补偿输出阻抗的轨到轨输出，即使在恶劣条件下也能确保安全运行。 控制器（PWM和故障）信号与5 V CMOS逻辑兼容，也可通过使用外部电阻分压器将其调整到15 V电平。 单通道SCALE - iDriver™系列可驱动阻断电压高达1700 V的IGBT和MOSFET或其他半导体功率开关，并在微控制器和功率半导体开关之间提供基本隔离。通过SO引脚可监控功率半导体开关和SCALE - iDriver的状态。 命令信号通过FluxLink隔离技术从初级侧（IN）传输到次级侧。GH引脚提供正栅极电压，并在导通过程中为半导体栅极充电。GL引脚提供负电压，并在关断过程中使栅极放电。 通过VCE引脚监控的去饱和检测技术实现短路保护。SCALE - iDriver检测到短路后，采用高级软关断（ASSD）技术实现半导体关断过程。
商品特性
- 分离输出，提供高达8 A的峰值驱动电流
- 集成FluxLink™技术，在初级侧和次级侧之间提供电流隔离
- 轨到轨稳定输出电压
- 次级侧采用单极性电源电压
- 适用于1700 V IGBT和MOSFET开关
- 高达75 kHz的开关频率
- 低传播延迟时间260 ns
- 传播延迟抖动±5 ns
- 工作环境温度范围为 - 40 ℃至125 ℃
- 高共模瞬态抗扰度
- eSOP封装，爬电距离和电气间隙为9.5 mm
- 初级侧和次级侧欠压锁定保护（UVLO）和故障反馈
- 使用VCESAT监控的短路保护和故障反馈
- 高级软关断（ASSD）
- 100%生产局部放电测试
- 100%生产6 kV RMS 1 s耐压合规测试
- 基本绝缘符合VDE 0884 - 10标准
- 无卤且符合RoHS标准
应用领域
- 通用和伺服驱动器
- UPS、太阳能、焊接逆变器和电源
优惠活动
购买数量
(1000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1000个/圆盘
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