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6ED003L02F2XUMA1
200V & 600V 三相栅极驱动器，带过流保护、使能和故障功能
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- 描述
- 这些器件是全桥驱动器，用于控制三相系统中的功率器件，如MOSFET或IGBT，最大阻断电压为+600 V。基于所采用的SOI技术，该器件在瞬态电压下具有出色的耐用性。器件中不存在寄生晶闸管结构
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- 6ED003L02F2XUMA1
- 商品编号
- C2676919
- 商品封装
- TSSOP-28
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 全桥；三相 | |
| 负载类型 | IGBT；MOSFET | |
| 驱动通道数 | 6 | |
| 灌电流(IOL) | 375mA | |
| 拉电流(IOH) | 165mA | |
| 工作电压 | 13V~17.5V | |
| 上升时间(tr) | 60ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 26ns | |
| 传播延迟 tpLH | 530ns | |
| 传播延迟 tpHL | 490ns | |
| 特性 | 过流保护(OCP)；欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃@(Tj) | |
| 输入高电平(VIH) | 1.7V~2.4V | |
| 输入低电平(VIL) | 700mV~1.1V | |
| 静态电流(Iq) | 1.1mA |
商品概述
这些器件是全桥驱动器，用于控制三相系统中的MOSFET或IGBT等功率器件，最大阻断电压为+600 V。基于所采用的SOI技术，器件在瞬态电压下具有出色的耐用性。器件中不存在寄生晶闸管结构。因此，在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁。 六个独立的驱动器在低端使用CMOS或LSTTL兼容信号进行控制，逻辑电平低至3.3 V。该器件包括一个具有迟滞特性的欠压检测单元和过流检测功能。过流电平可通过选择电阻值和ITRIP引脚的阈值电平来调节。两种错误情况（欠压和过流）都会导致所有六个开关明确关断。FAULT开漏输出引脚会提供一个错误信号。过流后的阻断时间可通过RCIN引脚的RC网络进行调节。输入引脚RCIN内部有一个2.8 μA的电流源。因此，电阻R_RCIN是可选的。典型输出电流上拉为165 mA，下拉为375 mA。出于系统安全考虑，实现了310 ns的互锁时间。输入EN的功能可通过使用外部NTC电阻进行过温检测来扩展。
商品特性
- 英飞凌薄膜SOI技术
- 最大阻断电压+600 V
- 输出源/灌电流+0.165 A / -0.375 A
- 基于SOI技术，桥输出对低至 -50 V的负瞬态电压不敏感
- 六个驱动器均有独立控制电路
- 过流和欠压电源检测
- 过流检测后故障清除的外部可编程延迟
- 错误情况下所有开关“关断”
- 各相信号互锁以防止交叉导通
应用领域
- 家用电器、制冷压缩机、空调
- 风扇、泵
- 电机驱动器、通用逆变器
- 电动工具、轻型电动车