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TPS51601ADRBR
双高效率同步MOSFET驱动器
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- 描述
- TPS51601A 具有死区控制的 30V 半桥栅极驱动器
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- TPS51601ADRBR
- 商品编号
- C2676913
- 商品封装
- WSON-8-EP(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 高边；低边 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | - | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 上升时间(tr) | 35ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 35ns | |
| 传播延迟 tpLH | 25ns | |
| 传播延迟 tpHL | 25ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 静态电流(Iq) | 160uA |
商品概述
TPS51601A是一款集成了升压开关的同步降压MOSFET驱动器。这款高性能驱动器能够以最高速度和最低开关损耗驱动高端和低端N沟道FET，具备自适应死区时间控制和直通保护功能。 TPS51601A采用节省空间的8引脚3 mm × 3 mm SON封装，工作温度范围为-40℃至105℃。
商品特性
- 高压同步降压驱动器
- 集成用于自举操作的升压开关
- 自适应死区时间控制和直通保护
- 低端驱动的灌电流电阻为0.4Ω
- 高端驱动的拉电流电阻为1.0Ω
- 用于提高轻载效率的SKIP引脚
- 自适应过零检测以实现最佳轻载效率
- 8引脚3 mm × 3 mm SON (DRB)封装
应用领域
- 移动核心稳压器产品
- 高频DC-DC转换器
- 高输入电压DC-DC转换器
- 多相DC-DC转换器