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NDC7001C
1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:0.51A
- 描述
- 此类双 N 和 P 沟道增强型场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺可最大程度地降低导通电阻，提供了坚固可靠的性能和快速的开关。此类器件尤其适用于低电压、低电流、开关和电源应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDC7001C
- 商品编号
- C274602
- 商品封装
- TSOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 510mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 960mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 20pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 66pF |
商品概述
这些双N沟道和P沟道增强型场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺旨在最大限度地降低导通电阻，提供坚固可靠的性能和快速开关能力。这些器件特别适用于低电压、低电流、开关和电源应用。
商品特性
- Q1：0.51 A、60 V。VGS = 10 V时，RDS(ON) = 2 Ω
- VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 4 Ω
- Q2：-0.34 A、60 V。VGS = -10 V时，RDS(ON) = 5 Ω
- VGS = -4.5 V时，RDS(ON) = 7.5 Ω
- 高饱和电流
- 用于低RDS(ON)的高密度单元设计
- 专有SuperSOT -6封装：采用铜引线框架设计，具备卓越的热性能和电气性能