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NTGS3455T1G
1个P沟道 耐压:30V 电流:3.5A
- 描述
- MOSFET，-3.5 A，?30 V，P 沟道，TSOP?6
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTGS3455T1G
- 商品编号
- C274619
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 480pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 220pF |
商品特性
- 超低导通电阻（RDS(on)）
- 更高效率，延长电池续航
- 微型 TSOP - 6 表面贴装封装
- 提供无铅封装
应用领域
- 便携式和电池供电产品的电源管理，如：蜂窝电话、无绳电话和 PCMCIA 卡