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NTHD4102PT1G
2个P沟道 耐压:20V 电流:4.1A
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- 描述
- 功率 MOSFET -20 V，-4.1 A 双 P 沟道 ChipFET
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTHD4102PT1G
- 商品编号
- C275999
- 商品封装
- SMD-8P
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 750pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 在ChipFET封装中提供超低导通电阻RDS(ON)解决方案
- 微型ChipFET封装,占位面积比TSOP-6小40%
- 低外形(<1.1毫米),使其能轻松适配如便携式电子产品等超薄环境
- 无需额外的栅极电压升压电路,简化了电路设计
- 可在标准逻辑电平栅极驱动下工作,便于使用相同基本拓扑向更低电平迁移
- 提供无铅封装
应用领域
- 针对便携式设备(如MP3播放器、手机和个人数字助理)的电池和负载管理应用进行优化
- 电池充电器中的充电控制
- 降压和升压转换器
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