温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTLJD3119CTBG
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:4.1A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：互补N沟道和P沟道MOSFET。 WDFN封装，带外露漏极焊盘，具有出色的热传导性能。 封装尺寸与SC-88相同。 采用前沿沟槽技术，导通电阻低。 栅极阈值电压为1.8 V。 低外形（< 0.8mm），便于在薄型环境中安装。应用：同步DC-DC转换电路。 便携式设备（如PDA、手机和硬盘）的负载/电源管理
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTLJD3119CTBG
- 商品编号
- C274622
- 商品封装
- WDFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 271pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 43pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 531pF |
相似推荐
其他推荐