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MC14014BDR2G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MC14014BDR2G

8位静态移位寄存器

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描述
MC14014B 和 MC14021B 在一个单片结构中使用 MOS P 沟道和 N 沟道增强模式器件构造。此类移位寄存器主要用于并行-串行数据转换、同步和异步并行输入、串行输出数据排队;以及其他需要低功耗和/或高抗扰性的通用寄存器应用。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
MC14014BDR2G
商品编号
C274655
商品封装
SOIC-16​
包装方式
编带
商品毛重
0.4克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录移位寄存器
功能并行或串行至串行
工作电压3V~18V
元件数1
每个元件位数8
属性参数值
输出类型-
系列4000B
工作温度-55℃~+125℃
耗散功率(Pd)500mW
传播延迟(tpd)400ns@5V,50pF

数据手册PDF