温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTMS10P02R2G
1个P沟道 耐压:20V 电流:10A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：超低导通电阻（RDS(on)）。 更高的效率，延长电池寿命。 逻辑电平栅极驱动。 微型SOIC-8表面贴装封装。 二极管具有高速、软恢复特性。 规定了雪崩能量。应用：便携式和电池供电产品的电源管理，如移动电话、无绳电话和PCMCIA卡
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMS10P02R2G
- 商品编号
- C274623
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.64nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.01nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.67nF |
商品概述
这款MOSFET旨在最大程度降低导通电阻（R_DS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 超低 RDS(on),高效节能,延长电池寿命
- 逻辑电平栅极驱动
- 微型SOIC-8表面贴装封装
- 二极管具备高速软恢复特性
- 规定雪崩能量
- 提供无铅封装
应用领域
- 便携式和电池供电产品的电源管理,如:移动电话、无绳电话和PCMCIA卡
相似推荐
其他推荐