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NDS9948实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NDS9948

2个P沟道 耐压:60V 电流:2.3A

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描述
此 P 沟道 MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对需要较宽门极驱动电压额定值 (4.5V – 20V) 的电源管理应用进行了优化。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NDS9948
商品编号
C274609
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.223克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)2.3A
导通电阻(RDS(on))250mΩ@10V
耗散功率(Pd)-
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
栅极电荷量(Qg)13nC@10V
输入电容(Ciss)394pF@30V
反向传输电容(Crss)23pF
工作温度-55℃~+175℃
类型P沟道

数据手册PDF