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NDS9948
2个P沟道 耐压:60V 电流:2.3A
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- 描述
- 此 P 沟道 MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对需要较宽门极驱动电压额定值 (4.5V – 20V) 的电源管理应用进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDS9948
- 商品编号
- C274609
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.223克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 394pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺，具备坚固耐用的栅极结构。它针对需要宽范围栅极驱动电压额定值（4.5V - 20V）的电源管理应用进行了优化。
商品特性
- -2.3 A，-60 V；在VGS = -10 V时，RDS(ON) = 250 mΩ
- 在VGS = -4.5 V时，RDS(ON) = 500 mΩ
- 低栅极电荷（典型值为9 nC）
- 快速开关速度
- 高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
- SO-8封装
应用领域
- 电源管理-负载开关-电池保护