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NDC7003P
1个P沟道 耐压:60V 电流:340mA
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- 描述
- 此类双 P 沟道增强型场效应晶体管是使用安森美半导体的专属沟槽技术生产的。这种极高密度工艺可最大程度地降低导通电阻，提供了坚固可靠的性能和快速的开关。此产品尤其适用于需要低电流高压侧开关的低压应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDC7003P
- 商品编号
- C274603
- 商品封装
- TSOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.067克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 340mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 960mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 66pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 13pF |
商品概述
这些双P沟道增强型功率场效应晶体管采用专有沟槽技术制造。这种高密度工艺旨在最小化导通电阻，提供坚固可靠的性能和快速开关特性。该产品特别适用于需要低电流高端开关的低压应用。
商品特性
- 当VGS = -4.5 V时,RDS(ON) = 7 Ω
- 0.34A,-60 V。当VGS = -10 V时,RDS(ON) = 5 Ω
- 低栅极电荷
- 快速开关速度
- 采用高性能沟槽技术实现低RDS(ON)
- SuperSOT -6封装:占位面积小(比标准SO - 8小72%);厚度薄(1mm厚)