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NDS9945
双N沟道,电流:3.5A,耐压:60V
- 描述
- SO-8 N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为提供卓越开关性能和最大限度地降低通态电阻而定制的。 这些器件特别适合需要快速开关、低线路内功率损耗以及抗瞬变能力的磁碟驱动器电机控制、电池供电电路等低电压应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDS9945
- 商品编号
- C274608
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.9nC@30V | |
| 输入电容(Ciss) | 345pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
采用专有高单元密度 DMOS 技术生产 SO-8 N 沟道增强型功率场效应晶体管。这种超高密度工艺专为提供卓越的开关性能并最小化导通电阻而设计。这些器件特别适用于低压应用，如磁盘驱动器电机控制、需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力的电池供电电路。
商品特性
- 在 VGS = 4.5 V 时,RDS(ON) = 0.200 Ω
- 3.5 A、60 V。在 VGS = 10 V 时,RDS(ON) = 0.100 Ω
- 高密度单元设计,实现极低的 RDS(ON)
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和电流处理能力
- 表面贴装封装中的双 MOSFET
应用领域
- 磁盘驱动器电机控制
- 电池供电电路