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NDS355N
N沟道 MOSFET,电流:1.6A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDS355N
- 商品编号
- C274606
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 245pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
这些N沟道逻辑电平增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于笔记本电脑、便携式电话、PCMCIA卡和其他电池供电电路中的低电压应用，这些应用需要在超小外形的表面贴装封装中实现快速开关和低在线功率损耗。
商品特性
- 1.6A、30V。VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 0.125Ω。
- 采用铜引脚框架的专有封装设计,具备卓越的热性能和电气性能。
- 高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)。
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力。
- 紧凑的行业标准SOT - 23表面贴装封装。
应用领域
-笔记本电脑-便携式电话-PCMCIA卡-其他电池供电电路