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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDS3672

N沟道,电流:7.5A,耐压:100V

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描述
N 沟道,PowerTrench MOSFET,100V,7.5A,22mΩ
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDS3672
商品编号
C274238
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.227克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)7.5A
导通电阻(RDS(on))23mΩ@10V
耗散功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)28nC@10V
输入电容(Ciss)2.015nF
反向传输电容(Crss)70pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)285pF

商品特性

  • 导通电阻rDS(ON) = 19 mΩ(典型值),栅源电压VGS = 10 V,漏极电流ID = 7.5 A
  • 总栅极电荷Qg(tot) = 28 nC(典型值),栅源电压VGS = 10 V
  • 低米勒电荷
  • 低反向恢复电荷体二极管
  • 高频下效率优化
  • 具备非钳位感性开关(UIS)能力(单脉冲和重复脉冲)

应用领域

  • 直流-直流转换器和离线式不间断电源(UPS)
  • 分布式电源架构和电压调节模块(VRM)
  • 24V和48V系统的初级开关
  • 高压同步整流器

数据手册PDF