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RFP50N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
- 描述
- 此类 N 沟道功率 MOSFET 是使用 MegaFET 工艺生产的。此工艺使用接近 LSI 集成电路的特性尺寸，可实现硅的优化利用，因此性能非常出色。此类器件适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。此类晶体管可直接在集成电路中运行。之前的开发型号为 TA09526。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- RFP50N06
- 商品编号
- C274239
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.64克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 131W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些N沟道功率MOSFET采用MegaFET工艺制造。该工艺的特征尺寸接近大规模集成电路(LSI),能实现硅的最优利用,从而带来出色的性能。它们专为开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用而设计。这些晶体管可直接由集成电路驱动。
商品特性
- 50A,60V
- rDS(ON) = 0.022 Ω
- 温度补偿PSPICE®模型
- 175°C工作温度
应用领域
-开关稳压器-开关转换器-电机驱动器-继电器驱动器