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RFP50N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- 此类 N 沟道功率 MOSFET 是使用 MegaFET 工艺生产的。此工艺使用接近 LSI 集成电路的特性尺寸，可实现硅的优化利用，因此性能非常出色。此类器件适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。此类晶体管可直接在集成电路中运行。之前的开发型号为 TA09526。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- RFP50N06
- 商品编号
- C274239
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.64克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@50A | |
| 耗散功率(Pd) | 131W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.02nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款功率MOSFET采用意法半导体（STMicroelectronics）独特的STripFET工艺开发，该工艺专门用于最小化输入电容和栅极电荷。这使得该器件适用于电信和计算机应用中的先进高效隔离式DC-DC转换器的主开关，以及对栅极电荷驱动要求较低的应用。
商品特性
- 典型漏源导通电阻（RDS(on)） = 0.022 Ω
- 出色的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
- 标准阈值驱动
应用领域
- 开关应用