温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STP14NK60ZFP
1个N沟道 耐压:600V 电流:13.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这些是N沟道齐纳保护功率MOSFET，采用SuperMESH™技术开发，通过优化基于条形的PowerMESH™布局实现。除了显著降低导通电阻外，该器件还确保在最苛刻的应用中具有高水平的dv/dt能力。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP14NK60ZFP
- 商品编号
- C262953
- 商品封装
- TO-220FPAB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.505克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.22nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 57pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 240pF |
商品概述
这些器件是采用意法半导体（STMicroelectronics）的SuperMESH™技术开发的N沟道齐纳保护功率MOSFET，该技术通过优化意法半导体成熟的基于条形的PowerMESH™布局实现。除了显著降低导通电阻外，该器件还旨在为最严苛的应用提供高水平的dv/dt能力。
商品特性
- 极高的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
- 栅极电荷最小化
- 极低的本征电容
- 出色的制造重复性
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用