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STQ1NK60ZR-AP
1个N沟道 耐压:600V 电流:0.3A
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- 描述
- 这些器件是采用意法半导体（STMicroelectronics）的SuperMESH™技术开发的N沟道齐纳保护功率MOSFET，该技术通过优化意法半导体成熟的基于条形的PowerMESH™布局实现。除了显著降低导通电阻外，这款器件还旨在确保在要求最苛刻的应用中具备高水平的dv/dt能力。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STQ1NK60ZR-AP
- 商品编号
- C262966
- 商品封装
- TO-92
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 0.339克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15Ω@10V,0.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 94pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 17.6pF |
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