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STW43NM60ND
N沟道,电流:35A,耐压:600V
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW43NM60ND
- 商品编号
- C262987
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.566克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 88mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 255W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 145nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
商品概述
FDmesh™ II 系列属于 MDmesh™ 技术的第二代产品。这款创新型功率 MOSFET 将新型垂直结构与条形布局相结合，兼具低导通电阻、快速开关的优点，同时还具备本征快速恢复体二极管。因此，它非常适合用于桥式拓扑结构，特别是零电压开关（ZVS）移相转换器。
商品特性
- 在快速恢复二极管器件中具有最佳的导通电阻(RDS(on))面积
- 经过 100% 雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
- 极高的 dv/dt 和雪崩能力
- TO - 247 封装
应用领域
- 开关应用
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