VNP10N07-E

VNP10N07 是一种使用STMicroelectronics VIPower技术制造的单片器件，用于在直流至50 kHz的应用中替代标准功率MOSFET。内置热关断、线性电流限制和过电压钳位保护功能可在恶劣环境中保护芯片。

故障反馈可以通过监测输入引脚上的电压来检测。

在正常工作时，输入引脚与内部功率MOSFET的栅极电连接。此时该器件表现得像一个标准的功率MOSFET，可用作从直流到50 kHz的开关。唯一的区别是，为了给内部电路供电，有一个小的直流电流（Iiss）流入输入引脚。

该器件集成了以下功能：

• 过电压钳位保护：内部设定为70V，加上功率MOSFET级的坚固雪崩特性，使该器件具有无与伦比的坚固性和能量处理能力。这一特性在驱动感性负载时尤为重要。
• 线性电流限制电路：无论输入引脚电压如何，都将漏极电流Id限制在Ilim。当电流限制器激活时，器件工作在线性区域，因此功率耗散可能会超过散热器的能力。外壳和结温都会升高，如果这种状态持续足够长的时间，结温可能达到过温阈值Tjsh。
• 过温和短路保护：这些保护基于对芯片温度的感应，不依赖于输入电压。位于功率级区域内的传感元件确保了快速准确地检测结温。过温切断发生在至少150°C。当芯片温度降至135°C以下时，器件会自动重启。
• 状态反馈：在发生过温故障的情况下，通过输入引脚提供状态反馈。内部保护电路将输入与栅极断开，并通过等效电阻100Ω将其连接到地。可以通过监测输入引脚上的电压来检测故障，该电压将接近地电位。

该器件还具有根据人体模型的ESD保护功能，并且可以由TTL逻辑电路驱动（RDS(on)略有增加）。