VNP28N04-E

VNP28N04 是一种单片器件，采用意法半导体的VIPower技术制造，旨在替代直流至50 KHz应用中的标准功率MOSFET。内置热关断、线性限流和过压箝位保护芯片在恶劣环境中不受损害。故障反馈可以通过监测输入引脚的电压来检测。该器件集成了内部设定为42V的过压箝位保护，以及功率MOSFET阶段的坚固雪崩特性，赋予了该器件无与伦比的坚固性和能量处理能力。这一特点在驱动感性负载时尤为重要。一个线性限流电路将漏极电流Id限制到Ilim，无论输入引脚的电压如何。当限流器激活时，器件工作在线性区域，因此功耗可能会超过散热器的能力。壳温和结温都会升高，如果这种状态持续时间足够长，结温可能达到过温阈值Tjsh。过温和短路保护基于对芯片温度的感知，并不依赖于输入电压。位于功率级区域内的感应元件确保快速准确地检测结温。过温切断发生在至少150°C时。当芯片温度降至135°C以下时，器件会自动重启。在发生过温故障的情况下，通过输入引脚提供状态反馈。内部保护电路断开输入与栅极的连接，而是通过等效电阻100 Ω将其接地。故障可以通过监测接近地电位的输入引脚电压来检测。此外，该器件还具有符合人体模型的ESD保护功能，并且能够由TTL逻辑电路驱动（RDS(on)略有增加）。