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VNP5N07-E
VNP5N07-E
- 描述
- OMNIFET：全自动保护功率MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- VNP5N07-E
- 商品编号
- C263003
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率电子开关 | |
| 通道数 | 1 | |
| 输入控制逻辑 | 高电平有效 | |
| 最大连续电流 | 3.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 0V~18V | |
| 导通电阻 | 200mΩ | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
VNP5N07 是一种采用意法半导体 VIPower M0 技术制造的单片器件，旨在替代直流至50kHz应用中的标准功率MOSFETs。内置的热关断、线性电流限制和过电压箝位可在恶劣环境中保护芯片。
商品特性
- 线性限流
- 热关断
- 短路保护
- 集成箝位
- 从输入引脚汲取的电流低
- 通过输入引脚进行诊断反馈
- 静电放电保护
- 直接访问功率MOSFET的栅极（模拟驱动）
- 与标准功率MOSFET兼容
- 标准TO-220封装
- 过压箝位保护：内部设置为70V，结合功率MOSFET级的坚固雪崩特性，使该器件具有无与伦比的坚固性和能量处理能力
- 线性限流电路：无论输入引脚电压如何，都将漏极电流Id限制为Ilim
- 过温及短路保护：这些基于芯片温度感应，不依赖于输入电压
- 状态反馈：在过温故障情况下，通过输入引脚提供状态反馈
- 该器件的其他特性包括根据人体模型的静电放电保护以及能够由TTL逻辑电路驱动（RDS(on)略有增加）
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