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VNP10N06-E
全自保护功率MOSFET
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- 描述
- VNP10N06是一款采用意法半导体（STMicroelectronics）VIPower技术制造的单片器件，旨在用于直流至50 kHz应用中替代标准功率MOSFET。内置的热关断、线性电流限制和过压钳位功能可在恶劣环境下保护芯片。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- VNP10N06-E
- 商品编号
- C263000
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率电子开关 | |
| 类型 | - | |
| 通道数 | 1 | |
| 输入控制逻辑 | 高电平有效 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大连续电流 | 10A | |
| 工作电压 | 7V~16V | |
| 导通电阻 | 300mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
VNP10N06 是一种采用意法半导体 VIPower 技术制造的单片器件，适用于替代直流至50kHz应用中的标准功率MOSFET。内置热关断、线性电流限制和过压箝位功能可在恶劣环境中保护芯片。
商品特性
- 线性电流限制
- 热关断
- 短路保护
- 集成箝位
- 从输入引脚抽取的电流低
- 逻辑电平输入阈值
- ESD保护
- 输入施密特触发器
- 高噪声抗扰度
- 标准TO-220封装
优惠活动
购买数量
(50个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个50个/管
总价金额：
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