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STW12NK90Z
1个N沟道 耐压:900V 电流:11A
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- 描述
- 该器件采用 SuperMESH™ 功率 MOSFET 技术制造，该技术是通过对意法半导体（ST）成熟的基于条形的 PowerMESH™ 布局进行深度优化而获得的。除了显著降低导通电阻外，还特别注重确保其在最苛刻的应用中具备出色的 dv/dt 能力。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW12NK90Z
- 商品编号
- C262982
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.625克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 880mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 230W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 113nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF |
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