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STS8C5H30L
N通道,电流:8A,耐压:30V; P通道,电流:5A,耐压:30V
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STS8C5H30L
- 商品编号
- C262968
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.235克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 490pF |
商品概述
该器件是一款采用STripFET™ II（P沟道）和STripFET™ V（N沟道）技术开发的互补型N沟道和P沟道功率MOSFET。由此产生的晶体管具有极高的封装密度，可实现低导通电阻和出色的雪崩特性。
商品特性
- 降低传导损耗
- 降低开关损耗
- 低阈值驱动
- 标准外形，便于自动表面贴装组装
应用领域
- 开关应用