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STP20NM60
1个N沟道 耐压:600V 电流:20A
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- 描述
- MDmesh™ 是一种全新的革命性功率 MOSFET 技术，它将多漏极工艺与该公司的 PowerMESH™ 横向布局相结合。由此生产出的产品具有极低的导通电阻、极高的 dv/dt 以及出色的雪崩特性。采用该公司专有的条形技术后，整体动态性能明显优于同类竞品
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP20NM60
- 商品编号
- C262955
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.775克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 290mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 192W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF@25V | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
优惠活动
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