STP20NM60
1个N沟道 耐压:600V 电流:20A
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- 品牌名称ST(意法半导体)
商品型号
STP20NM60商品编号
C262955商品封装
TO-220包装方式
管装
商品毛重
2.775克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 600V | |
连续漏极电流(Id) | 20A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 290mΩ@10V,10A | |
功率(Pd) | 192W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 54nC@480V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.5nF@25V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 35pF@25V | |
工作温度 | -65℃~+150℃ |
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