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STP80N6F6
1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
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- 描述
- 该器件是一款采用第六代STripFET™ DeepGATE™技术开发的N沟道功率MOSFET，具备全新的栅极结构。由此制成的功率MOSFET在所有封装形式中均呈现出最低的导通电阻RDS(on)。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP80N6F6
- 商品编号
- C262961
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.67克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 147nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.325nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 400pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
该器件是一款采用第六代STripFET™ DeepGATE™技术开发的N沟道功率MOSFET，具有全新的栅极结构。由此产生的功率MOSFET在所有封装中均呈现出最低的导通电阻RDS(on)。
商品特性
- 专为汽车应用设计,符合AEC-Q101标准
- 栅极电荷低
- 导通电阻极低
- 雪崩耐量高
应用领域
- 开关应用