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STP80NF55-06
1个N沟道 耐压:55V 电流:80A
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- 描述
- 这款功率MOSFET采用了独特的“单一特征尺寸™”条形工艺，是该工艺的最新成果。由此制成的晶体管具有极高的封装密度，可实现低导通电阻、出色的雪崩特性，且对准步骤要求较低，因此具有卓越的制造可重复性。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP80NF55-06
- 商品编号
- C262962
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.79克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 189nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 350pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.02nF |
商品概述
这款功率MOSFET采用独特的“单一特征尺寸”条形工艺最新研发而成。由此得到的晶体管展现出极高的封装密度，具备低导通电阻、坚固的雪崩特性，且关键对准步骤更少，因此具有出色的制造再现性。
商品特性
- 受封装限制
- 卓越的dv/dt能力
- 100%经过雪崩测试
- 面向应用的特性表征
应用领域
- 开关应用
- TO-220
- TO-220FP
- D²PAK
- I²PAK