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STP4N52K3
N沟道,电流:2.5A,耐压:525V
- 描述
- 功率场效应管
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP4N52K3
- 商品编号
- C262956
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 525V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@50uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 334pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 28pF |
商品概述
这些MDmesh™ K3功率MOSFET是意法半导体（STMicroelectronics）MDmesh™技术改进的成果，并结合了全新优化的垂直结构。这些器件具有极低的导通电阻、卓越的动态性能和高雪崩能力，使其适用于要求最为严苛的应用场景。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 极高的dv/dt能力
- 极低的固有电容
- 改善的二极管反向恢复特性
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用