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STP7NK80Z
1个N沟道 耐压:800V 电流:5.2A
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- 描述
- SuperMESH™ 系列是通过成熟的基于条形结构的 PowerMESH™ 布局进行极致优化而得。除了显著降低导通电阻外，还特别注重确保该系列在最严苛的应用场景下具备出色的 dv/dt 能力。该系列产品完善了意法半导体的全系列高压功率 MOSFET，其中包括具有革新意义的 MDmesh™ 产品
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP7NK80Z
- 商品编号
- C262959
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.755克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.138nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 122pF |
商品概述
SuperMESH™ 系列是通过对意法半导体（ST）成熟的基于条形结构的 PowerMESH™ 布局进行极致优化而得。除了显著降低导通电阻外，还特别注重确保在最严苛的应用中具备出色的 dv/dt 能力。该系列产品完善了意法半导体包括创新型 MDmesh™ 产品在内的全系列高压功率 MOSFET。
商品特性
- 极高的 dv/dt 能力
- 100% 雪崩测试
- 栅极电荷最小化
- 极低的固有电容
- 出色的制造重复性
应用领域
- 开关应用