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DMTH4004LK3-13
1个N沟道 耐压:40V 电流:100A
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- 描述
- 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH4004LK3-13
- 商品编号
- C260930
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 83nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.45nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 74pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 额定温度达175°C，适用于高环境温度环境
- 100%非钳位电感开关，确保终端应用更可靠、更耐用
- 低导通电阻（Rdson），可将功率损耗降至最低
- 低栅极电荷（Qg），可将开关损耗降至最低
- 无铅涂层，符合RoHS标准
- 无卤素和锑，为“绿色”器件
- 符合AEC-Q101高可靠性标准
- 另有符合汽车应用标准的产品（DMTH4004LK3Q），其数据手册单独提供
应用领域
- 发动机管理系统-车身控制电子设备-DC-DC转换器