温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMN2016LHAB-7
2个N沟道 耐压:20V 电流:7.5A
- 描述
- 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2016LHAB-7
- 商品编号
- C264091
- 商品封装
- U-DFN2030-6-EP
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.65W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款新一代MOSFET经过精心设计，可将导通电阻 RDS(on) 降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
-低导通电阻-低栅极阈值电压-低输入电容-快速开关速度-栅极具备ESD保护-完全无铅且符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
-电源管理功能-电池组-负载开关