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DMT40M9LPS-13
1个N沟道 耐压:40V 电流:304A
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- 描述
- N沟道,40V,304A,0.9mΩ@10V
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT40M9LPS-13
- 商品编号
- C268029
- 商品封装
- PowerDI5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.259克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 304A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 159nC | |
| 输入电容(Ciss) | 9.903nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 410pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
SuperMESH™系列是通过对意法半导体（ST）成熟的基于条形布局的PowerMESH™进行极致优化而得。除了显著降低导通电阻外，还特别注重确保其在最严苛应用中具备出色的dv/dt能力。该系列产品完善了意法半导体的高压MOSFET全系列产品，其中包括具有革新性的MDmesh™产品。
商品特性
- 典型漏源导通电阻 = 0.033 Ω
- 极高的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
- 栅极电荷极小
- 极低的本征电容
- 极佳的制造重复性
应用领域
- 用于等离子电视的高电流、高效率开关式DC/DC转换器
- 非常适合离线电源、适配器和功率因数校正（PFC）