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DMP22M2UPS-13
1个P沟道 耐压:20V 电流:60A
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- 描述
- 这款新一代P沟道增强型MOSFET专为在保持卓越开关性能的同时，将导通电阻RDS(ON)降至最低而设计。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP22M2UPS-13
- 商品编号
- C264093
- 商品封装
- PowerDI5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.268克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 476nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12.826nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.924nF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
UTC 1N65是一款高压功率MOSFET，具备快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高雪崩特性等优良特性。该功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效DC - DC转换器和桥式电路的高速开关应用。
商品特性
- 在栅源电压（VGS） = 10 V、漏极电流（ID） = 0.6 A时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 12.5 Ω
- 超低栅极电荷（典型值5.0 nC）
- 低反向传输电容（CRSS = 典型值3.0 pF）
- 快速开关能力
- 规定雪崩能量
- 改善dv/dt能力，高耐用性
应用领域
- 电源
- PWM电机控制
- 高效DC - DC转换器
- 桥式电路