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DMT4011LFG-7
1个N沟道 耐压:40V 电流:30A
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- 描述
- 此MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT4011LFG-7
- 商品编号
- C264099
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.087克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 15.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 767pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 30.6pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 低栅极电荷
- 低 Crss（典型值 2.83pF）
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的 dv/dt 能力
- RoHS 产品
应用领域
-高频开关电源-半桥电子镇流器-UPS 电源-高效开关模式电源-基于半桥的电子灯镇流器-UPS