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DMN2005K-7
1个N沟道 耐压:20V 电流:300mA
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- 描述
- 特性：低导通电阻。极低的栅极阈值电压，最大0.9V。快速开关速度。低输入/输出泄漏。超小型表面贴装封装。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。ESD保护栅极
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2005K-7
- 商品编号
- C260950
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 550mΩ@1.8V；400mΩ@2.7V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@100uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 500pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 36pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 5.7pF |
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购买数量
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