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ZXMHC3A01N8TC
2个N沟道+2个P沟道 耐压:30V 电流:2.7A
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- 描述
- H桥MOSFET
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMHC3A01N8TC
- 商品编号
- C264179
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道+2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.36W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 190pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 全桥 | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
这款新一代互补MOSFET H桥的特点是，在低栅极驱动条件下可实现低导通电阻。
商品特性
- SOIC封装,包含2个N沟道和2个P沟道
应用领域
- 直流电机控制
- 直流-交流逆变器