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DMN1003UCA6-7
N沟道增强型MOSFET,电流:23.6A,耐压:12V
- 描述
- 这款新一代MOSFET的设计旨在最大程度降低导通电阻（RSS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN1003UCA6-7
- 商品编号
- C264090
- 商品封装
- X3-DSN3518-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.67W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.315nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 248pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共漏 | |
| 输出电容(Coss) | 850pF |
商品概述
这款新一代MOSFET的设计旨在最小化导通电阻（RSS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 封装尺寸为3.54 mm × 1.77 mm的CSP封装
- 低轮廓设计，高度为0.21mm
- 栅极ESD保护
- 完全无铅，完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
应用领域
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护