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DMN2019UTS-13
耐压:20V 电流:5.4A
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- 描述
- 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2019UTS-13
- 商品编号
- C260947
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.203克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 31mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 780mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 143pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
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(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
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