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DMG4468LK3-13
1个N沟道 耐压:30V 电流:9.7A
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- 描述
- 特性：低导通电阻。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑。“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMG4468LK3-13
- 商品编号
- C260943
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.462克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.68W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.95V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18.85nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 867pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 81pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 85pF |
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