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DMP2104LP-7实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMP2104LP-7

1个P沟道 耐压:20V 电流:1.5A

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描述
特性:P沟道MOSFET。 极低导通电阻。 极低栅极阈值电压。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 超小表面贴装封装。 无铅设计/符合RoHS标准。 “绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,可靠性高
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMP2104LP-7
商品编号
C260933
商品封装
DFN1411-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.03克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)1.5A
导通电阻(RDS(on))200mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)500mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V@250uA
输入电容(Ciss)320pF
反向传输电容(Crss)60pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)80pF

商品特性

~~- P沟道MOSFET-极低导通电阻-极低栅极阈值电压-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流-超小型表面贴装封装-设计无铅/符合RoHS标准-“绿色”器件-符合AEC-Q101高可靠性标准

数据手册PDF