DMP2104LP-7
1个P沟道 耐压:20V 电流:1.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性:P沟道MOSFET。 极低导通电阻。 极低栅极阈值电压。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 超小表面贴装封装。 无铅设计/符合RoHS标准。 “绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,可靠性高
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP2104LP-7
- 商品编号
- C260933
- 商品封装
- DFN1411-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 320pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品特性
~~- P沟道MOSFET-极低导通电阻-极低栅极阈值电压-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流-超小型表面贴装封装-设计无铅/符合RoHS标准-“绿色”器件-符合AEC-Q101高可靠性标准
