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DMN2065UW-7
1个N沟道 耐压:20V 电流:2.8A
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- 描述
- N沟道，20V，2.8A，56mΩ@4.5V
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2065UW-7
- 商品编号
- C260872
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 73.8pF |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻 RDS(on) 降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 符合AEC-Q101高可靠性标准
- 另有符合汽车应用标准的产品型号(DMN2065UWQ),其规格书单独提供
应用领域
- 通用接口开关
- 电源管理功能
- DC-DC转换器
- 模拟开关