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DMG5802LFX-7
2个N沟道 耐压:24V 电流:6.5A
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- 描述
- 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMG5802LFX-7
- 商品编号
- C260882
- 商品封装
- W-DFN5020-6-EP(5x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.061克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 24V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 980mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.0664nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
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