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DMP3007SCG-7
1个P沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- 这款MOSFET旨在最小化导通电阻RDS(ON),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP3007SCG-7
- 商品编号
- C260899
- 商品封装
- V-DFN3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 64.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.826nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 305pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款新一代P沟道增强型MOSFET旨在最大程度降低漏源导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
商品特性
- 低RDS(ON)——确保将导通状态损耗降至最低
- 小尺寸、热效率高的封装,可实现更高密度的终端产品
- 仅占用SO - 8封装33%的电路板面积,可使终端产品更小
- 典型的人体模型(HBM)静电放电(ESD)保护等级为8kV
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,是“绿色”器件
应用领域
-背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器