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DMP3007SCG-7
1个P沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- 这款MOSFET旨在最小化导通电阻RDS(ON),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP3007SCG-7
- 商品编号
- C260899
- 商品封装
- V-DFN3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 64.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.826nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 305pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款新一代P沟道增强型MOSFET旨在最大程度降低漏源导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
商品特性
- 热效率高的封装——适用于低温运行应用
- 高转换效率
- 低漏源导通电阻——最大程度降低导通状态损耗
- 封装高度<1.1mm——非常适合轻薄型应用
- 无铅表面处理；符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
-负载开关-笔记本电脑电池电源管理