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DMN2016UTS-13
2个N沟道 耐压:20V 电流:8.58A
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 无铅设计/符合RoHS标准。 ESD防护高达2kV。 “绿色”器件。 符合AEC-Q101高可靠性标准
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2016UTS-13
- 商品编号
- C260874
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.192克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.58A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 880mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.495nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 152pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 161pF |