温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMN26D0UFB4-7
1个N沟道 耐压:20V 电流:240mA
- 描述
- N沟道，20V，240mA，3Ω@4.5V
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN26D0UFB4-7
- 商品编号
- C260867
- 商品封装
- X2-DFN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 240mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 输入电容(Ciss) | 28.2pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5.8pF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- N沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 极低的栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 超小型表面贴装封装,封装最大高度0.4mm
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 通过AEC-Q101标准认证,具备高可靠性
应用领域
- DC-DC转换器
- 电源管理功能