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HVESD12-02V-G-08

单向ESD 12V截止峰值浪涌电流：6A

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描述: 这款单向ESD静电保护二极管针对单一通道设计，耐压12V，峰值电流处理能力为6A，电容值35pF，适用于电压较高的电路保护需求，有效抵御静电放电，同时确保信号传输质量，为电子设备的静电防护提供专业解决方案。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HVESD12-02V-G-08
商品编号: C22440412
商品封装: SOD-523
包装方式: 编带
商品毛重: 0.012833克(g)

商品参数

HVESD12-02V-G-08可保护敏感的半导体组件免受静电放电及其他电压感应瞬态事件造成的损坏或干扰。其出色的钳位能力、低泄漏电流、低电容和快速响应时间为暴露在静电放电环境下的设计提供了的保护。它为设计者提供了灵活性，可在不适用阵列的应用中保护一条单向线路。封装为SOD-523。

为高速数据线路提供瞬态保护，符合IEC 61000-4-2（静电放电）标准：±30kV（接触放电），±30kV（空气放电）；符合IEC 61000-4-4（电快速瞬变脉冲群）标准：40A（5/50 ns）
峰值功耗：174W（8/20us）
工作电压：5V
保护一条电源线或数据线
低钳位电压
低泄漏电流