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HPESDUC2FD3V3B
双向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：4A
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- 描述
- 此双向ESD静电保护二极管专为3.3V电压环境设计，单通道结构紧凑高效。4A峰值电流处理能力，为电路板穿上隐形防静电盔甲。0.3pF的超低电容值，确保信号传递快速无损，是保障高频数据线路和微电子设备安全的精妙之选。
- 商品型号
- HPESDUC2FD3V3B
- 商品编号
- C22439987
- 商品封装
- DFN1006-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0051克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 3.3V | |
| 钳位电压 | 25V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 4A | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 100W@8/20us | |
| 击穿电压(VBR) | 4.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 100nA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 0.3pF |
商品概述
HPESDUC2FD3V3B可保护敏感半导体组件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间，为暴露于ESD的设计提供了同类最佳的保护。它为设计师提供了灵活性，可在不适合使用阵列的应用中保护一条双向线路。封装形式为DFN1006 - 2L。
商品特性
- 高速数据线的瞬态保护
- IEC 61000 - 4 - 2（ESD）：±8kV（接触），±15kV（空气）
- IEC 61000 - 4 - 4（EFT）：40A（5/50 ns）
- 峰值功率耗散：100W（8/20μs）
- 工作电压：3.3V
- 超小封装（1.0mm×0.6mm×0.5mm）
- 保护一条数据、控制线
- 低钳位电压
- 低泄漏电流