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HESD9N5B

双向ESD 5V截止峰值浪涌电流：5.5A@8/20us

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描述: 该产品为单通道双向ESD静电保护二极管，额定电压VRWM为5伏特，可承受瞬时电流IPP高达5.5安培，电容值CJ低至10皮法，专为保护电子电路免受静电释放造成的损害，确保信号传输质量及系统稳定性，适用于各类静电敏感设备。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HESD9N5B
商品编号: C22439998
商品封装: DFN1006-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.008007克(g)

商品参数

商品概述

HESD9N5B可保护敏感半导体组件，避免其因静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件而损坏或故障。出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间，为暴露于ESD的设计提供了同类最佳的保护。它使设计人员能够在不适合使用阵列的应用中灵活保护一条双向线路。封装形式为DFN1006 - 2L（SOD - 882）。

商品特性

低泄漏
响应时间通常小于1 ns
符合人体模型3级ESD评级
具备IEC61000 - 4 - 2 4级ESD保护
这些是无铅器件
我们声明产品材料符合RoHS要求且无卤素

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	双向
	反向截止电压(Vrwm)	5V
	钳位电压	12V
	峰值脉冲电流(Ipp)	5.5A@8/20us
	峰值脉冲功率(Ppp)	66W@8/20us
	击穿电压(VBR)	8V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	300nA
	通道数	单路
	工作温度	-40℃~+125℃
	防护等级	IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	10pF